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专利信息

专利名称：一种基于金属氧化物半导体薄膜材料的 H2S 气体传感器及其制备方法
发明人：刘凤敏;刘月颖;索辉;张轶群
专利号：ZL 2019 1 0083504.7
专利类型：发明专利
授权日期：2021-08-13

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